Smartphone năm 2018 sẽ có bộ nhớ lưu trữ dung lượng khủng 512 GB

0
1727

Vào năm tới, dung lượng lưu trữ bên trong smartphone cao nhất có thể tăng gấp đôi lên 512 GB nhờ sử dụng công nghệ mới nhất đến từ công ty của Đài Loan là Silicon Motion Technology Corporation.

Khi smartphone đang dần được trang bị nhiều chức năng mới hơn, nhiều ứng dụng hơn và nhu cầu sử dụng camera được tích hợp trong điện thoại ngày càng tăng, điều mà đa số người dùng smartphone quan tâm là không gian lưu trữ trên thiết bị của họ. Từ năm 2011, bộ nhớ trong của thiết bị đã chuyển từ 8GB lên 16GB và tăng đến 32GB vào năm ngoái.

Năm 2017 này, phiên bản thấp nhất của những chiếc smartphone hàng đầu như Samsung Galaxy S8 và Apple iPhone 8, có thể sẽ có bộ nhớ trong bắt đầu ở 64GB và sẽ lên đến 256GB.

Vào năm tới, dung lượng lưu trữ có sẵn cao nhất có thể tăng gấp đôi lên 512 GB nhờ sử dụng công nghệ của công ty Đài Loan Silicon Motion Technology Corporation.

Công ty trên, đồng thời cũng là nhà sản xuất bộ điều khiển bộ nhớ flash NAND cho các thiết bị lưu trữ SSD, đã tung ra một bộ điều khiển mới Ultra-Fast Storage (UFS). Bộ điều khiển UFS 2.1 sẽ cung cấp công suất, hiệu suất và dung lượng được cải tiến hơn.

UFS là một công nghệ giúp chuyển tập tin nhanh hơn và được Samsung sử dụng trong các thiết bị Galaxy, kể từ mẫu sản phẩm Galaxy S6. Các chipset bộ nhớ chuẩn UFS 2.1 cung cấp khả năng truyền file nhanh gấp ba lần so với các thiết bị hiện tại. Mặc dù bộ nhớ eMMC hiện có được sử dụng trên nhiều thiết bị cung cấp tốc độ hoạt động 19.000/14.000 đầu vào/đầu ra mỗi giây, nhưng bộ nhớ mới UFS 2.1 sẽ cung cấp hoạt động đạt tốc độ đến 50.000/40.000 đầu vào/đầu ra mỗi giây.

Đặc biệt, tính năng quan trọng nhất mà UFS 2.1 mang lại là nó sẽ hỗ trợ các module bộ nhớ lên đến 512GB, do đó người dùng sẽ không chỉ có tốc độ truyền dữ liệu nhanh hơn, mà còn có nhiều không gian hơn trên điện thoại để lưu trữ dữ liệu.

Theo thông cáo báo chí của Công ty Silicon Motion Technology Corporation về việc phát hành UFS 2.1, nêu rõ: “UFS 2.1 sẽ mở ra một thế hệ mới các giải pháp bộ nhớ nhúng hiệu quả và hiệu suất cao” .

Ngoài ra, Walter Coon, giám đốc nghiên cứu công nghệ NAND flash tại IHS Markit, đã bình luận về chuẩn UFS: “Các tính năng đa phương tiện hiệu suất cao là nền tảng cho các thiết bị di động ngày nay và việc bổ sung các tính năng 4K và AR / VR sẽ đòi hỏi nhiều công suất và giải pháp bộ nhớ nhúng dung lượng UFS cao hơn cho phần lớn các điện thoại thông minh. ”

Bộ điều khiển UFS 2.1 sẽ được sản xuất vào cuối năm nay và có thể là một phần của những chiếc smartphone ra mắt vào năm 2018.

Kiều Ngân

Di Động Việt

ĐĂNG BÌNH LUẬN