Chip DRAM mới của Samsung mở ra RAM khủng cho Galaxy S10?

0
6449

Samsung vừa thông báo đã phát triển chip 8 GB DRAM LPDDR5 10nm đầu tiên của ngành công nghiệp, mở ra khả năng áp dụng trong Galaxy S10 năm sau.

Công ty Hàn Quốc đã thành công trong việc sản xuất chip 8 GB DRAM LPDDR4 và bắt đầu sản xuất hàng loạt vào năm 2014. Giờ đây sau 4 năm, thế hệ chip 8 GB DRAM LPDDR5 mới ra mắt nhằm mục đích tăng tốc độ xử lý cho các ứng dụng di động hỗ trợ AI.

Phó chủ tịch cấp cao mảng bộ nhớ của Samsung Electronics, Jinman Han, cho biết sự phát triển của LPGDR5 8 GB thể hiện một bước tiến quan trọng cho các giải pháp bộ nhớ di động công suất thấp. Ông cho rằng Samsung sẽ tiếp tục mở rộng dòng sản phẩm DRAM 10nm thế hệ tiếp theo khi công ty đẩy nhanh tiến độ sử dụng bộ nhớ cao cấp trên các sản phẩm của mình.

Theo Samsung, chip DRAM mới của mình có tốc độ dữ liệu lên đến 6.400 Mbps, nhanh gấp 1,5 lần so với chip DRAM di động sử dụng trên các thiết bị cao cấp hiện nay. Để ví dụ về tốc độ của nó, chip DRAM mới có thể chuyển 51,2 GB hoặc 14 video Full HD chỉ trong 1 giây. Những cải thiện tốc độ này cũng đi kèm với khả năng giảm điện năng tiêu thụ.

Cũng theo Samsung, chip mới được thiết kế để giảm điện áp, phù hợp với tốc độ hoạt động của bộ xử lý ứng dụng tương ứng khi ở chế độ hoạt động. Chế độ ngủ sâu cũng đã được thêm vào để cắt giảm mức năng lượng sử dụng bằng một nửa khi so sánh với DRAM LPDDR4X hiện tại.

Nhìn chung, các thiết bị có chip này sẽ ghi nhận tốc độ tăng lên và lượng điện năng tiêu thụ giảm đến 30%, có nghĩa thời lượng pin sẽ tăng lên. Samsung vẫn chưa công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt chip nhớ ra sao nhưng cộng đồng mong chờ Galaxy S10 mà công ty ra mắt năm sau sẽ được hưởng lợi từ công nghệ mới.

Bên cạnh đó, Samsung sẽ tiếp tục tập trung hoàn thiện các thế hệ chip DRAM sắp tới của mình, gồm 16 GB DRAM GDDR6 16 nm được giới thiệu vào tháng 12/2017, và dòng cao cấp 16 GB DDR5 DRAM giới thiệu lần đầu vào tháng 2/2018.

Kiến An

Di Động Việt

ĐĂNG BÌNH LUẬN